テクノロジー
T e c h n o l o g y
UJ-Crystalの技術
Development
UJ-Crystalの結晶開発
速く
機械学習
美しく
結晶開発
賢く
シミュレーション
UJ-Crystalの結晶は世界一の品質を誇ります
UJ-Crystalの結晶は世界一の品質を誇ります
世界一美しく
結晶開発
「溶液成長法」により超高品質を実現
溶液成長法は、高温で液化したSi-C溶液から結晶を徐々に成長させる手法です。
UJ-Crystalの溶液成長法では超高品質のSiCウェハを安定して製造することができ、パワーデバイスの性能向上のみならず、デバイスのコストダウンも実現します。
世界一賢く
シミュレーションを活用した
デジタルツイン
シミュレーションによる炉内の可視化
AI・機械学習によって得られた実験条件で、シミュレーションを行っています。本来は見えない実験中の炉内の状態を可視化することで、より最適な成長条件の探索・結晶成長実験の理解や人材育成など、積極的に活用しています。
世界一速く
機械学習
AI・機械学習を用いた圧倒的な開発スピード
溶液成長法における各種パラメータは機械学習によって高度に最適化されています。これらのAI手法は名古屋大学で開発されており我々独自のものです。AI・機械学習によって得られた実験条件で実験を行うことで、開発時間の大幅な短縮・開発コスト削減につなげています。
世界一美しく
結晶開発
「溶液成長法」により超高品質を実現
溶液成長法は、高温で液化したSi-C溶液から結晶を徐々に成長させる手法です。
UJ-Crystalの溶液成長法では超高品質のSiCウェハを安定して製造することができ、パワーデバイスの性能向上のみならず、デバイスのコストダウンも実現します。
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デジタルツイン
シミュレーションによる炉内の可視化
AI・機械学習によって得られた実験条件で、シミュレーションを行っています。本来は見えない実験中の炉内の状態を可視化することで、より最適な成長条件の探索・結晶成長実験の理解や人材育成など、積極的に活用しています。
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機械学習
AI・機械学習を用いた圧倒的な開発スピード
溶液成長法における各種パラメータは機械学習によって高度に最適化されています。これらのAI手法は名古屋大学で開発されており我々独自のものです。AI・機械学習によって得られた実験条件で実験を行うことで、開発時間の大幅な短縮・開発コスト削減につなげています。
About
SiCウェハとは
SiCウェハはシリコンと炭素から作られた基板で、従来のシリコンと比較して、熱伝導性が高い、バンドギャップが広いなどの特徴をもち、高温での安定的な動作や高電力制御が可能です。
これにより、パワー半導体や高周波デバイスなどの高性能な電子デバイスに用いられ、
電気自動車や再生可能エネルギー分野での活躍が期待されています。
SiCウェハはシリコンと炭素から作られた基板で、従来のシリコンと比較して、熱伝導性が高い、バンドギャップが広いなどの特徴をもち、高温での安定的な動作や高電力制御が可能です。これにより、パワー半導体や高周波デバイスなどの高性能な電子デバイスに用いられ、電気自動車や再生可能エネルギー分野での活躍が期待されています。
UJ-Crystal、名古屋大学が独自に開発したプロセス・インフォマティクス技術によって
圧倒的な開発スピードで８インチ結晶成長を実現
UJ-Crystal、名古屋大学が独自に開発した
プロセス・インフォマティクス技術によって
圧倒的な開発スピードで８インチ結晶成長を実現
Environment
名古屋大学を基点とした開発環境
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UJ-Crystalのコア技術である溶液成長法でのSiCウェハ開発は、長年にわたり名古屋大学宇治原研究室にて研究・開発がされてきました。
現在も、研究室、大学、UJ-Crystal、そして関係各社が一丸となって、より高い結晶品質や安定的な結晶製造方法を日々追求し続けています。
UJ-Crystalのコア技術である溶液成長法でのSiCウェハ開発は、長年にわたり名古屋大学宇治原研究室にて研究・開発がされてきました。現在も、研究室、大学、UJ-Crystal、そして関係各社が一丸となって、より高い結晶品質や安定的な結晶製造方法を日々追求し続けています。
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お問い合わせ
製品購入・業務提携・資金援助はこちらからお問い合わせください。
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