世界一美しい結晶を、
世界一速く、
世界一賢く。

Product

超高品質ソリューションSiCウエハ

ソリューションSiCは、名古屋大学で開発された溶液成長法により製造したSiC ウェハです。この方法では、SiCの製造に一般的に用いられる昇華法と比較して、 転位欠陥密度が低い超高品質の結晶を作ることができます。

SiCはパワー半導体と呼ばれる電力用半導体であり、電気自動車用インバーター、 鉄道用のインバーター、太陽光発電や風力発電などの電力制御のためのインバーターなどに利用され、省電力化によりカーボンニュートラルに貢献します。

高い結晶品質

ソリューションSiCは、高温のシリコン合金溶液から結晶を徐々に析出させます。 このように製造された結晶は含まれる欠陥が少なく、非常に高い結晶品質を示します。
結晶品質の高さは、パワーデバイスの性能を高め、またコストダウンにもつながります。

N型とP型のどちらも実現

半導体には、N型とP型の二種類が存在し、用途によって使い分けます。ソ リューションSiCはN型SiCだけではなく、従来の製造法では困難であったP型 SiCウェハを実現することができます。これにより、自然エネルギーの有効活用 や電力網の高効率化に寄与します。

最新のAI技術を駆使

ソリューションSiCの結晶成長技術においては、名古屋大学で開発された多くの AI技術が活用されています。それにより、結晶のサイズや品質、コストなど、 すべての面で優位性を保っています。

Members

アイコン
宇治原 徹 代表取締役

About

商号 株式会社UJ-Crystal
業務内容 パワー半導体SiC(炭化ケイ素・シリコンカーバイド)ウェハの開発・製造・販売
設立年月日 2021年6月25日
資本金 500万円
所在地 〒464-8601
名古屋市千種区不老町 名古屋大学インキュベーション施設 108号室北

Contact

    必須法人名

    必須お名前

    必須メールアドレス

    必須件名

    必須お問い合わせ内容